イオンプレーティングとは
イオンプレーティングとは、宇宙開発技術の一環として、アメリカで開発されためっきの一つです。
めっきとは大きく分けると「湿式めっき」と「乾式めっき（真空めっき）」に分けられます。
一般的に「めっき」でイメージされるのが、湿式めっきです。湿式めっきとは、金属の溶けた溶液中などでコーティング（成膜）を施すものを指します。
一方、乾式めっきは真空中などでコーティング（成膜）するものを指します。当社で行っている「真空蒸着法」、「イオンプレーティング法」、「スパッタリング法」、「プラズマCVD法」はこちらの乾式めっき（真空めっき）に分類されます。
真空蒸着法
イオンプレーティング法
スパッタリング法
プラズマCVD法
真空蒸着法の特徴
◎ 純度の高い膜が形成できる
◎ 基板ダメージが少ない
◯ 比較的弱い密着力を逆に利用可能
△ 条件によっては膜がボーラスになり易い
△ 陰になった部位には膜が付きまわらない
△ 密着力はアンカー効果と拡散に依存する
イオンプレーティング法（IP）の特徴
◎ 真空蒸着法よりも強い密着力が得られる
◎ 低温でも密着が得られる（一部の膜種除く）
◎ 成膜条件の多様性が得られる
◎ 反応膜が形成しやすい
◯ 合金膜が形成しやすい
◯ 陰となる部分への膜の付きまわりが真空蒸着よりも良い
イオンプレーティングとはPVD法の一種です。
イオンプレーティングはプラズマ雰囲気中でイオン化したプラス電荷の蒸発材料がマイナス電荷に印加した基板側へ引き寄せられることで密着性の良い膜を形成する方法です。
また反応性ガスを導入することにより、酸化や窒化などの反応膜を形成することが可能です。
スパッタリング法の特徴
◎ 再現性に長けている
◎ 反応膜が形成しやすい
◎ 合金膜が形成しやすい
◎ 密着力が強く、結晶性の高い膜が得られる
△ 成膜速度が遅く、厚膜が形成しにくい
△ 直進性が強いため、陰となる部分に付きまわりにくい
プラズマCVD 法の特徴
◎ 陰となる部分への膜の付きまわりが良い
◎ 自由度が高く多様性に富んだ手法
◎ 低温での成膜が可能
◯ 反応膜が成膜しやすい
△ プロセスの最適化を得るのが難しい
△ 副生成物の種類によっては処理が必要