イオンプレーティング

イオンプレーティング法は、真空蒸着法とほぼ同じ原理です。
異なるところは、蒸発粒子がプラズマ中を通過させることで、プラスの電荷を帯びさせ、基板にマイナスの電荷を印加して蒸発粒子を引き付けて堆積させ膜を形成するところです。
これにより真空蒸着法に比べ、より密着性の強い膜を作ることが出来ます。

イオンプレーティング概略図

東邦化研では大小さまざまな装置を保有しており、幅広い膜種に対応しております。

基本プロセス

STEP
チャンバーに基板をセット
イオンプレーティング装置
イオンプレーティング装置
STEP
チャンバー内を真空排気
STEP
基板加熱

低温成膜も可能です。一度ご相談下さい。

STEP
Arガスを導入及びRFプラズマ源をONにし、プラズマを生じさせる

励起源にRF(工業用高周波13.56MHz)使用

STEP
電子ビームをターゲットに充て、蒸発させる

反応膜の場合は反応ガスも後に導入

STEP
印加

蒸発された粒子がプラズマを通過することで+(プラス)の電荷を帯び、また、基板側に―(マイナス)の電荷を印加させ、蒸発粒子(+)を基板側(-)に引き寄せる

STEP
粒子が基板に到達して堆積し、薄膜が形成される

基板情報

最大搭載可能サイズ1000mm×800mm
対応可能基板Si Wafer、ガラス、セラミックス、金属材、樹脂材 など