スパッタリング
スパッタリング法は、プラズマ等により高いエネルギーをもった粒子を材料（ターゲット）に衝突させて、その衝撃で材料成分をたたき出し、その粒子を基板上に堆積させることで膜を形成する方法です。
東邦化研では、スパッタリング法によるTi(チタン)系反応膜の形成を行っております。
現在スパッタリング法での対応膜種は、Ti、TiN、TiCの３膜種のみとさせていただいております。
またチャンバー（真空装置）内の異物による汚染防止のため、基板（膜付け対象物）の材質を限らせていただいております。一度ご相談下さい。
基本プロセス
STEP
チャンバーに基板をセット
STEP
チャンバー内を真空排気
STEP
ランプヒーターによる基板加熱
無加熱も可能です。一度ご相談下さい。
STEP
ガスを導入する
反応膜の場合は反応ガスも後に導入
STEP
ターゲット源をON
STEP
Ar(アルゴン)ガスによりターゲット材料がスパッタされる
スパッタされた粒子が基板に到達して堆積
STEP
薄膜が形成される
スパッタリング装置スペック
| 最大搭載可能サイズ | φ12インチ×ｔ50mm |
|---|---|
| 対応可能基板 | Si Wafer、各種ガラス基板 Al系基板（Al2O3,AlN） Si系基板（SiC等） |
| 対応不可基板 | SUS系、他金属混合物系 |
- 大変申し訳ございませんが、半導体基板対応とするため膜付けするチャンバー内の汚染を考慮して、搭載する基板に制限をさせていただいております。お手数をおかけ致しますが、ご対応可能かお問い合わせ下さい。