プラズマCVD
膜としたい元素を含むガスを導入し、プラズマにより励起や分解をさせて、基板表面で吸着、反応等を経て膜を形成する方法です。
プラズマを用いるため熱CVDに比べて低温でのコーティングが可能です。
また、PVD法と比べても非常に付きまわり性がよいのも特徴です。

プラズマCVD法で対応可能な膜種は、DLC(Diamond-Like Carbon)、SiO2、SiN、SiCの4膜種です。
またチャンバー(真空装置)内の異物による汚染防止のため、基板(膜付け対象物)の材質を限らせていただいております。一度ご相談下さい。
基本プロセス
STEP
チャンバーに基板をセット


STEP
チャンバー内を真空排気
減圧によるプラズマCVD法
STEP
一定の真空度に達したらプロセスガスを導入
プロセスガスは目的とする膜成分を含むもの
STEP
RFプラズマ源をONにしプラズマを生じさせる
励起源にRF(工業用高周波13.56MHz)使用
STEP
プラズマによりガスの原子や分子が励起され活性となる
STEP
励起された原子や分子が基板に到達し薄膜を形成する
基板情報
最大搭載可能サイズ | φ12インチ×t20mm |
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対応可能基板 | Si Wafer、各種ガラス基板 Al系基板(Al2O3,AlN) Si系基板(SiC等) |
対応不可基板 | SUS系、他金属混合物系 |
- 大変申し訳ございませんが、半導体基板対応とするため膜付けするチャンバー内の汚染を考慮して、搭載する基板に制限をさせていただいております。お手数をおかけ致しますが、ご対応可能かお問い合わせ下さい。