プラズマCVD

膜としたい元素を含むガスを導入し、プラズマにより励起や分解をさせて、基板表面で吸着、反応等を経て膜を形成する方法です。
プラズマを用いるため熱CVDに比べて低温でのコーティングが可能です。
また、PVD法と比べても非常に付きまわり性がよいのも特徴です。

プラズマCVD概略図

プラズマCVD法で対応可能な膜種は、DLC(Diamond-Like Carbon)、SiO2、SiN、SiCの4膜種です。
またチャンバー(真空装置)内の異物による汚染防止のため、基板(膜付け対象物)の材質を限らせていただいております。一度ご相談下さい。

基本プロセス

STEP
チャンバーに基板をセット
12号機
プラズマCVD装置
16号機
プラズマCVD装置
STEP
チャンバー内を真空排気

減圧によるプラズマCVD法

STEP
一定の真空度に達したらプロセスガスを導入

プロセスガスは目的とする膜成分を含むもの

STEP
RFプラズマ源をONにしプラズマを生じさせる

励起源にRF(工業用高周波13.56MHz)使用

STEP
プラズマによりガスの原子や分子が励起され活性となる
STEP
励起された原子や分子が基板に到達し薄膜を形成する

基板情報

最大搭載可能サイズφ12インチ×t20mm
対応可能基板Si Wafer、各種ガラス基板
Al系基板(Al2O3,AlN)
Si系基板(SiC等)
対応不可基板SUS系、他金属混合物系
  • 大変申し訳ございませんが、半導体基板対応とするため膜付けするチャンバー内の汚染を考慮して、搭載する基板に制限をさせていただいております。お手数をおかけ致しますが、ご対応可能かお問い合わせ下さい。