プラズマCVD

膜としたい元素を含むガスを導入し、プラズマにより励起や分解をさせて、基板表面で吸着、反応等を経て膜を形成する方法です。
プラズマを用いるため熱CVDに比べて低温でのコーティングが可能です。
また、PVD法と比べても非常に付きまわり性がよいのも特徴です。

プラズマCVD法で対応可能な膜種は、DLC（Diamond-Like Carbon）、SiO2、SiN、SiCの４膜種です。
またチャンバー（真空装置）内の異物による汚染防止のため、基板（膜付け対象物）の材質を限らせていただいております。一度ご相談下さい。

基本プロセス

STEP

チャンバーに基板をセット

STEP

チャンバー内を真空排気

減圧によるプラズマCVD法

STEP

一定の真空度に達したらプロセスガスを導入

プロセスガスは目的とする膜成分を含むもの

STEP

RFプラズマ源をONにしプラズマを生じさせる

励起源にRF（工業用高周波13.56MHz）使用

STEP

プラズマによりガスの原子や分子が励起され活性となる

STEP

励起された原子や分子が基板に到達し薄膜を形成する

最大搭載可能サイズ	φ12インチ×t20mm
対応可能基板	Si Wafer、各種ガラス基板 Al系基板（Al2O3,AlN） Si系基板（SiC等）
対応不可基板	SUS系、他金属混合物系

大変申し訳ございませんが、半導体基板対応とするため膜付けするチャンバー内の汚染を考慮して、搭載する基板に制限をさせていただいております。お手数をおかけ致しますが、ご対応可能かお問い合わせ下さい。